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    第六百二十九章 IGBT是大市场 (第2/3页)

谈过了，他说他已经明白你的需求。而且会很快把精力转移到这方面来。”

    “这可太好了！”周林磊脸上乐开了花，“这么多难题，我可是一筹莫展，想不到在小秦你们这里都能够迎刃而解，难怪冀老那么看重你。”

    “呵呵。周工，你还没问完呢，igbt的问题，你就不关心了吗？”秦海问道。

    “igbt……”周林磊摇了摇头，“这个难度有点大了，都压到你小秦身上，我都有些于心不忍了。你不知道，那次和你在冀老那里聊过之后，我给研究院打了一个报告，提出在国外采购一部分igbt元件，bt的技术，我们最终肯定是要掌握的，但短期内，通过采购来弥补技术上的不足，还是可行的。”

    所谓igbt，是“绝缘栅双极型功率管”的简称，用最简单的话来说，它就是一种大功率的电子开关，通过控制栅极上的电压，可以实现导通和关断的转换。与机械式的开关相比，电子开关的响应速度可以高达每秒几十万次，而且不会有因为反复开关而损坏的担忧。收音机里的三极管也是一种电子开关，igbt可以被视为一种特殊的三极管，其特点在于耐压更高、电流更大、速度更快以及可靠性更好等等。

    igbt的概念最早是在70年代末提出来的，80年代初由美国ge公司和rca公司分别研制成功。从1986年起，igbt开始得到正式生产并逐渐形成了系列化。在随后这些年，igbt的技术不断更新，1988年出现的是第一代，称为平面穿透型；1990年出现了第二代，为改进的平面穿透型；1992年为第三代，即沟槽型；1997年出现了第四代，称为非穿透型；2001年出现了电场截止型；2003年出现了沟槽型电场截止型……

    半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新，是有其原因的，那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门，小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品，统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场，自然能够引得无数天下英雄竞折腰。

    然而，要掌握igbt的制造技术，bt是一种工作原理非常复杂的器件，几乎集成了所有半导体器件的基本结构。要制造出满足要求的igbt器件，涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻，工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量，为此，igbt的制造工艺规则从5微米下降到了0.5微米，而晶片尺寸则由4英寸提高到6英寸、8英寸。

    所有这些生产工艺，对于当年的中国来说，都是十分困难的，而且几乎没有在短期内形成突破的可能性。也正因为此，周林磊并不对秦海寄予太多的希望，在他看来，秦海能够解决超级电容、超导线圈、

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